
薄膜铌酸锂(LNOI)光子芯片技术
开创光子芯片产业新时代
铌酸锂是一种综合性能优异的多功能晶体材料,具有宽透明窗口、折射率适中、线性电光系数大、温度稳定性好等特点。随着2014年铌酸锂薄膜晶元的产业化,具有优良光学特性的铌酸锂在薄膜化后,为集成光学提供了一个全新平台——LNOI。LNOI材料在传统铌酸锂晶体特性的基础上,进一步实现了更高的光束缚能力、调制效率与集成密度。

核心优势

规模生产
CMOS工艺兼容,可以实现规模化生产

全链条能力
拥有光子芯片设计到生产全链条研发能力,快速迭代

工艺成熟
拥有CMOS工艺设备全链条生产能力,芯片核心工艺成熟

自主可控
依托国内首条光子芯片中试线,全流程自主可控,避免卡脖子难题
工艺指标
芯片架构层数 >10 半波电压 < 2V*cm 消光比 >30dB
波导传输损耗 < 0.1dB/cm 电光调制带宽 > 100GHz 量子光源通道数 >128
线性度 >100dB*Hz(2/3) 波导品质因数(Q值) >500000 可编程线性光子矩阵规模 160 x 160
代表性成果
光电共芯封装作为一种新型的光电子集成技术,将光芯片与点芯片封装在一起,不仅能够减少尺寸,提高计算效率,还可以降低功耗。当前,大模型训练现象级应用的涌现和爆发加速了 AI 产业的进程,AI 的高速发展增加了对更高算力的需求,也大幅提升了能耗和成本,光电共芯封装技术为满足 AI 产业的低功耗、低成本、高能效等需求提供了新的解决方案。图灵量子近年来,一直致力于突破光电共封装核心技术难题,结合铌酸锂薄膜光子芯片核心技术,目前已经形成多款共封装形态产品和技术方案。
